国内首个电力数据知识产权登记完成

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首个数据（H）草莓的3D复杂曲面电路。电力登记该成果以题为High-FidelityConformalPrintingof3DLiquidAlloyCircuitsforSoftElectronics发表在ACSAppliedMaterialsInterfaces上。

知识（C）不同粗糙度表面对液态金属的润湿性。产权图4.从平面到复杂三维曲面的应用。完成（C）最小线宽下的螺旋电路。

国内（A）液态金属亲疏性印章和表现。同其它基于掩膜制造的工艺一样，首个数据最终的打印密度常常受到掩膜的限制，而且制造成本随着分辨率的增加而大大增加。

电力登记（B）印刷的线截面轮廓饱满度表征。

（C）一个循环的信号变化，知识（D）各个阶段的实验结果模拟（插图是通道中液态金属不同阶段的显微照片）。其中，产权团队利用去合金化手段制备的仿生分级纳米多孔金属结构在面向实际应用方面已经取得阶段性进展，产权制备的特种分级纳米多孔金属结构显示出优异的杀菌特性（AustralianPatent,ApplicationNo2018904940）。

【引言】去合金化，完成又称选择性腐蚀，是制备表面或整体纳米多孔金属的首选方法。随着对去合金化机理不断深入的理解，国内目前已扩展至利用去合金化来制备分级纳米多孔金属。

【图文解读】图一原位同步辐射X射线去合金化实验装置图二快速凝固Al65Cu35,at.%,原始合金薄带的相分布及相组成(a)AlCu颗粒分布在Al2Cu基体上(b)XRD结果确定快速凝固Al65Cu35原始合金包含Al2Cu和AlCu两相图三快速凝固Al65Cu35原始合金薄带在10vol%HCl溶液、首个数据70℃条件下的去合金化过程：首个数据Al2Cu和AlCu相的去合金化同时进行(a,b)1分钟后，Al2Cu和AlCu相均发生去合金化，两相表面均出现Cu富集(c,d)30分钟后，去合金化从表面至中间层层发生，Al2Cu和AlCu去合金化同时发生(e,f)180分钟后，样品成为均一的纳米多孔结构(g,h)30分钟和180分钟去合金化样品XRD结果图四铸造Al65Cu35原始合金铸锭的相分布及相组成(a)原始合金显示Al2Cu基体含有长条状AlCu相(15µm长)(b)去合金化前后的XRD曲线：去合金化前原始合金包含Al2Cu和AlCu两相，120分钟去合金化后样品主要包含纯Cu相(c,d)两级纳米多孔Cu结构图五快速凝固和铸造Al65Cu35和Al55Cu45原始合金的电化学性能快速凝固细晶粒合金显示一个腐蚀电位：纳米结构覆盖了两相的电化学活性差异,而铸造粗晶粒合金显示两相的两个腐蚀电位电偶腐蚀会因此发生图六铸造Al65Cu35原始合金去合金化原位同步辐射X射线结果Al2Cu和AlCu先后去合金化响应：Al2Cu相的去合金化先开始图七铸造Al65Cu35原始合金非原位同步辐射X射线结果及精修分析更高分辨率结果及精修分析显示Al2Cu的每个XRD峰的强度随着脱合金时间的增加而降低，而AlCu的强度不变，证实了Al2Cu和AlCu两相的顺序去合金化过程图八去合金化时纯Cu相的形成动力学(a,b)去合金化过程中纯Cu相相对量的演变(c,d)经典形核－长大理论(Avrami-Erofeevmodel)可以用来描述去合金化过程中纯Cu相的形成过程：Al2Cu的去合金化分为两个阶段，原位同步辐射结果以及经典理论在典型的纳米多孔结构扩散富集形成理论上增加了形核阶段，丰富和深入了去合金化机理【小结】微观结构尺度在双相Al-Cu（Al2Cu-AlCu）合金的去合金化过程中起决定性作用。电力登记该发现为制备分级纳米金属多孔结构材料提供了新的指导思想。